Fairchild推出双MOSFET器件FDMC8200可提供更高功率密度-资讯检测器

Fairchild推出双MOSFET器件FDMC8200可提供更高功率密度-资讯 飞兆半导体公司 (Fairchi里程表ld Semiconductor) 为设计人员带来业界领先的双MOSFET解决方案FDM金属铸件C8200，可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其钉线它 DC-DC 设计提供更高的效率和功率密度。该器件在3mm x 3mm MLP模块中集成了经优化的控制 (高侧) 和同步 (低侧) 30V N沟道MOSFET，二者均使用的专用先进高性能PowerTrench 7 MOSFET技术，提供出色的低RDS(ON)、总体栅极电荷(QG)和米勒电荷 (QGD)，这些性能最大限度地减少传导和开关损耗，带来更高效率。FDMC8200高侧RDS(ON) 通常为24mOhm，低侧则为9.5mOhm，可提供9A以上电流供主流计算应用，而经优化的引脚输出和占位面积，为布局和路由带来便利，并简化设计。 FDMC8200通过先进的封装技术和专有PowerTrench 7工艺，节省空间并提升热性能，解决DC-DC应用的主要设计难题。采用紧凑型高热效3mm x 3mm Power33 MLP封装和PowerTrench 7技术，其本身能够提供高功率密度、高功率效率和出色的热性能。 这款双MOSFET器件是飞兆半导体广泛的先进MOSFET技术产品系列的一部选矿设备分，全系列均拥有广阔的击穿电压范围和现代化的封装技术，实现高效的功率管理和低热阻的特点。同系列其它产品包括集成了FET模块的FDMS9600S 和FDMS9620S器件，同样能够显着减少石材石桌电路板空间，并提升同步降压设计以达到更高的转换效率。 单价(订购1000个)：0.50美元 供货：现提供样品 交货期：现已可付运

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